800 Watt Solarpanel

Bemerkung: Customisierte Rahmenfarbe und Kabellänge auf Anfrage erhältlich

1. Bifacial HJT-Technologie vom Typ N-Typ

Dieses Panel nutzt 210 mm Wafer und halb geschnittenes Zelldesign und kombiniert bifaciale HJT-Technologie vom Typ N-Typ für überlegene Lichtabsorptions- und Energieumwandlungseffizienz. Die 18BB-Konfiguration (Busbar) mit Dünnschichtzellen reduziert die interne Resistenz und verbessert die Stromerfassung.

2. Industrie-Führungskraft und Effizienz

Mit einer maximalen Leistung von 800 W und Modul -Effizienz von bis zu 24,39%liefert es eine unübertroffene Energiedichte. Der innovative Schablonendruckprozess und der mit Silber beschichtete Kupferbänder optimieren die leitende Leistung und gewährleisten einen minimalen Stromverlust.

3.4.1% höhere Frontausgang als TopCon

Dank seiner HJT-Architektur und der verbesserten Elektronenmobilität übertrifft dieses Panel die Topcon-Module bei der Stromerzeugung vorne um 4,1% und ist so ideal für räumlich begrenzte Installationen.

4. Exceptional Haltbarkeit und Zuverlässigkeit

Mit borfreien Materialien entwickelt, um den BO-induzierten Abbau (B 0- Deckel) zu beseitigen, bietet es einen robusten Widerstand gegen Letid und PID. Die niedrige jährliche Verschlechterungsrate (<0.3%) ensures long-term energy yield stability.

5,95% Bifaciality für die maximale Energieernte

Die hohe Bifaciality ermöglicht es dem Panel, bis zu 95% seines Frontausgangs aus reflektiertem Licht auf der hinteren Seite zu erzeugen, wodurch die gesamte Energieerzeugung in Boden- und Tracking-Systemen erheblich gesteigert wird.

STC (Standard -Testbedingungen): Bestrahlungsanstrahlung 1000 W/㎡, Zelltemperatur 25 Grad, Luftmasse 1,5.

BSTC (BIFACIAL -Standard -Testbedingungen): Bestrahlung vorderer Seite 1000 W/㎡, Rückseite Reflexion der Bestrahlung 135 W/㎡, Luftmasse 1,5, Umgebungstemperatur 25 Grad.

1. SILICON WAFFERVORAUGUNG

Materialauswahl: Verwendet ein monokristallines Siliziumwafer vom Typ N-Typ (niedriger Bor-Sauerstoffgehalt), um einen BO-induzierten Abbau (B 0- Deckel) zu beseitigen.

Oberflächen Texturierung: Ätzen, um eine mikrogezogene Oberfläche für eine verstärkte Lichtabsorption zu erzeugen.

2. Herstellung von HJT -Zellen

Ablagerung von Nicht-Si-Schichten:

A-Si-Schichten: Ablagerung von hydriertem amorphem Silizium (a-si: h) auf beiden Seiten des Wafers über Plasma-verstärkter chemischer Dampfabscheidung (PECVD). Dies bildet die Heteroübergangsstruktur für eine effiziente Ladungstrennung.

TCO -Beschichtung: transparente leitende Oxid (TCO) Schichten (z. B. ITO oder ZnO), die durch Sputtern angewendet werden, um die Oberflächenrekombination zu verringern und die Leitfähigkeit zu verbessern.

Metallisierung:

Siebdruck: Schablonendruck von silberbeschichteten Kupferpaste für Elektroden vorne (18 BB-Bushaben), um den Widerstand zu minimieren und die Stromerfassung zu verbessern.

Hinter-Seite-Kontakte: Laserablation und Metallbeschichtung für hintere Kontakte.

3.. Halb geschnittene Zellverarbeitung

Laserschnitt: Wafer werden in Halbzellen aufgeteilt, um den inneren Widerstand zu reduzieren und die Schattierungstoleranz zu verbessern.

Zusammenfassung: Dünne, silberbeschichtete Kupferbänder verbinden Halbzellen in Reihe/parallel unter Verwendung von Löten oder leitenden Klebstoff.

4. Modulbaugruppe

Laminierung:

Layers Stapeling: Zellen sind zwischen Frontglas, Eva -Einkapsel und Rückenblatt (oder zwei Glas für Bifaciality) eingeklemmt.

Vakuumlaminierung: Hochtemperaturpressung (140–150 Grad) Bindungen miteinander und sorgen für die hermetische Versiegelung.

Rahmen- und Anschlussbox: Aluminiumrahmen und Anschlussboxen mit Bypass -Dioden werden für mechanische Unterstützung und elektrische Verbindungen hinzugefügt.

Test- und Qualitätskontrolle

Elektrische Tests: IV -Kurvenmessungen zur Überprüfung der Leistung (bis zu 800 W), Effizienz (24,39%) und Bifacialial (95%).

Zuverlässigkeitstests:

Wärmeleit -Radfahren: Beschleunigter Altern, um die Temperaturextreme zu simulieren.

Feuchtigkeitstestung: Exposition gegenüber hohen Luftfeuchtigkeit und Gefrierbedingungen.

UV -Widerstand: UV -Lichtbelastung zur Beurteilung des Abbaues.

Anti-PID/LETID-Validierung: Tests unter Hochspannung und thermischer Spannung, um die Resistenz gegen potenziell induzierten Abbau und lichtinduzierten Abbau zu bestätigen.

5. Key -Vorteile, die in den Prozess eingebaut sind

Low-Temperaturprozess: HJTs<200°C manufacturing avoids thermal stress on silicon, reducing defects.

Mit Silber beschichtete Kupferbänder: kostengünstige und hochleitende Lösung für Elektroden.

Dual-Glass-Design: Verbessert Haltbarkeit und bifaciale Lichtaufnahme.

Dieser integrierte Prozess stellt sicher, dass das Modul im Vergleich zu TopCon- oder Perc-Technologien einen hohen Energieertrag, langfristige Zuverlässigkeit und eine überlegene Leistung liefert.

Jingsun hat ein globales intelligentes Logistiksystem erstellt, um den Transportbedarf von 800 -W -Solarmodulen zu erfüllen und fortschrittliche Verpackungstechnologie und Lieferkettenmanagement zu kombinieren, um sicherzustellen, dass die Produkte sicher, effizient und nachhaltig an Kunden geliefert werden.

1. Globales Transportnetz und multimodaler Transport

Planen Sie dynamisch die optimale Route basierend auf dem AI -Algorithmus, um die Anzahl der Überweisungen und Transportrisiken zu verringern.

2. Intelligenter Verpackungs- und Sicherheitsschutz

Adoptieren Sie recycelbarer Wabenkarton + EPE -Schaumfutter mit Kantenverstärkungsstreifen, bestehen Sie den Internationalen Transporttest der ISTA 3E, um sicherzustellen, dass die Module während des Sturzes und der Vibration intakt sind.

3.. Customized Service

Bereitstellen Sie den transparenten Temperaturbehälter für hohe Höhe und extrem kalte/heiße Bereiche.

Bereitstellung von Entladeanleitungen und Installationsunterstützung am Projektstandort Photovoltaic Power Station.

Flexible Zahlung: Unterstützen Sie CIF, FOB, EXW und andere Handelsbedingungen, um die Bedürfnisse verschiedener Kunden gerecht zu werden.

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